GaAs襯底單晶
砷化鎵(jia)（GaAs）襯(chen)底單晶Wafer Technology生產的GaAs單晶采用(yong)從高純(chun)度的GaAs晶體（VGF）在低(di)壓(ya)環境(jing)下提煉生產的低(di)位錯密(mi)度GaAs單晶。規(gui)
產品詳情
GaAs襯底單晶
砷化鎵（GaAs）襯底單(dan)晶
Wafer Technology生產(chan)的(de)GaAs單(dan)晶(jing)采用從高純度的(de)GaAs晶(jing)體（VGF）在(zai)低壓環境下提煉生產(chan)的(de)低位錯密度GaAs單(dan)晶(jing)。
規格說明：
Wafer Technology公(gong)司提供砷化鎵(jia)（GaAs）晶錠或(huo)者切面(mian)晶錠以及腐蝕或(huo)者拋光砷化鎵(jia)（GaAs）單晶，所有的砷化鎵(jia)（GaAs）單晶都(dou)經過激光刻劃標識從(cong)而確保每一片產品的可追溯性。
包裝方式：
分片托盤式獨立充(chong)氣減震包(bao)裝（確保產品運輸完整性）
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